AI熱潮推動記憶體需求復甦，HBM炙手可熱扭轉整體產業格局。
台系記憶體供應鏈透露，上游記憶體原廠HBM訂單不僅2025年預訂一空，訂單能見度甚至將看到2026年第1季，但HBM排擠太多DRAM產能，勢必將推動DDR5價格逐步拉升。
隨著大客戶NVIDIA的AI晶片供不應求，順利打入供應鏈的SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）2024年HBM提前售鑿，2025年訂單也接近滿載，估計合計供應給NVIDIA的HBM月產能約當6萬多片，新廠建設及擴充產能將勢在必行。
SK海力士先前公布將在清州設置M15X產線做為新DRAM生產基地，並推動在龍仁半導體聚落建置新廠。
而美光也計劃於廣島興建DRAM新廠，預定 2026年初動工、最快2027年底前完成廠房建設，雖然DRAM大廠持續加碼投資產能，但2025~2026年整體產能增加幅度十分有限。
業界指出，HBM生產週期較DDR5多出1.5~2個月，對晶圓位元消耗量也遠大於傳統的DDR5記憶體，若以HBM3E晶圓消耗是DDR5的3倍多，到了2026年進入HBM4，其消耗將可能達到DDR5的5倍。
記憶體模組業者分析，相較於NAND Flash增產必須考量市場供需及產業競爭等因素，目前業界對於NAND增產較趨於謹慎，但三大廠增加DRAM產能已經持續進行。
尤其是HBM產能消耗龐大，雖然SK海力士和美光分食HBM3E市場大餅，但過去2年來缺乏資本支出投入導致產能規模受限，美光單月HBM產能僅約3,000片，相當於SK海力士的1/20供應比重，若要達成美光宣稱HBM市佔率約2成的目標，後續擴產必將以HBM為主軸。
由於HBM堆疊製程及技術門檻，良率的爬坡期也比傳統DRAM更為困難，業界估計，SK海力士從HBM3量產拔得頭籌，維持市場領先的一哥地位，其良率表現成為產業指標，相較之下，美光從2024年HBM3E才正式加入市場戰局，短期內良率僅約SK海力士的一半左右。
而目前三星電子（Samsung Electronics）受限於散熱、功耗等因素卡關，至今HBM3E尚未敲開NVIDIA大門，缺乏大量出貨的實戰經驗下，良率改善的差距恐將持續拉大。
外界普遍認為，儘管三星老大哥暫時掉隊，未能跟上HBM量產先機，但NVIDIA與三星過去合作已久，三星也計劃將大幅擴充產能3倍跳躍成長，龐大產能將有助於舒緩NVIDIA供應不求的訂單，預期2024年底三星仍有機會跟上NVIDIA領軍的AI列車。
不過若是三星遲遲未能過關，SK海力士及美光的擴產腳步已持續推動，恐將導致排擠效應，從良率及產能分頭並進，繼續拉大領先三星的差距。
國際大廠競逐HBM戰場，導致標準型DRAM供應大幅縮減，記憶體模組廠認為，DDR5價格持續走揚態勢明確，預期到了年底前還有10~20%漲幅，但伴隨而來的風險，若DDR5價格太高，反而可能拖延市場滲透率的起飛速度，影響下游客戶採用的意願。
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