三星電子6月30日宣布，旗下位於南韓京畿道的華城廠已開始量產環繞閘極技術（GAA）製程3奈米晶片，腳步比台積電（2330）快。

面對三星領先量產3奈米晶片，台積電向來不評論競爭對手。台積電規劃，3奈米下半年開始量產，採用與三星不同的鰭式場效電晶體（FinFET）架構。

業界認為，從目前各大晶片廠產品發展藍圖來看，只有蘋果、高通、聯發科、超微、輝達等大廠有能力開發3奈米晶片，有3奈米晶圓代工需求，目前看來，上述大廠都以台積電為主要晶圓代工夥伴，不少也開始延伸合作至3奈米以下更先進製程，三星短期難以撼動台積電在客戶心中首選的地位。

業界指出，三星先前就已宣布今年上半年量產GAA架構3奈米晶片，但遲至上半年的最後一天才宣布這項訊息，且未公布良率與客戶等細節，「保住面子不讓先前開出的支票（3奈米上半年量產）跳票」意味濃厚。

三星透過新聞稿表示，和當前的5奈米晶片相比，採用最新3奈米製程生產的晶片會減少16%的表面積、性能提高23%，功耗降低45%。

三星晶圓代工事業主管崔世英（ Choi Si-young，音譯）表示：「三星一直迅速成長，我們持續展現在運用新一代製造技術方面的領導地位。」「我們尋求以全球第一個3奈米製程來維持這個領導地位。」

三星還表示：「正開始把具有奈米片（nanosheet）電晶體的半導體晶片首次應用於高性能、低功耗運算應用，並且計劃拓展至行動處理器。」不過，三星拒絕透露有哪些客戶將採用三星3奈米製程。

業界指出，台積電和三星3奈米採取的技術架構不同。三星採用的GAA是下一代製程技術，改善半導體電晶體的結構，讓閘極能夠接觸電晶體的四個側面，有別於當前的鰭式場效電晶體（FinFET）只能接觸電晶體三個側面的情況，GAA可比FinFET製程更精準控制電流。
 

• 新聞出處 : 經濟日報 編譯葉亭均、記者尹慧中