三星电子6月30日宣布，旗下位于南韩京畿道的华城厂已开始量产环绕闸极技术（GAA）製程3奈米晶片，脚步比台积电（2330）快。

面对三星领先量产3奈米晶片，台积电向来不评论竞争对手。台积电规划，3奈米下半年开始量产，採用与三星不同的鳍式场效电晶体（FinFET）架构。

业界认为，从目前各大晶片厂产品发展蓝图来看，只有苹果、高通、联发科、超微、辉达等大厂有能力开发3奈米晶片，有3奈米晶圆代工需求，目前看来，上述大厂都以台积电为主要晶圆代工伙伴，不少也开始延伸合作至3奈米以下更先进製程，三星短期难以撼动台积电在客户心中首选的地位。

业界指出，三星先前就已宣布今年上半年量产GAA架构3奈米晶片，但迟至上半年的最后一天才宣布这项讯息，且未公布良率与客户等细节，「保住面子不让先前开出的支票（3奈米上半年量产）跳票」意味浓厚。

三星透过新闻稿表示，和当前的5奈米晶片相比，採用最新3奈米製程生产的晶片会减少16%的表面积、性能提高23%，功耗降低45%。

三星晶圆代工事业主管崔世英（ Choi Si-young，音译）表示：「三星一直迅速成长，我们持续展现在运用新一代製造技术方面的领导地位。」「我们寻求以全球第一个3奈米製程来维持这个领导地位。」

三星还表示：「正开始把具有奈米片（nanosheet）电晶体的半导体晶片首次应用于高性能、低功耗运算应用，并且计划拓展至行动处理器。」不过，三星拒绝透露有哪些客户将採用三星3奈米製程。

业界指出，台积电和三星3奈米採取的技术架构不同。三星採用的GAA是下一代製程技术，改善半导体电晶体的结构，让闸极能够接触电晶体的四个侧面，有别于当前的鳍式场效电晶体（FinFET）只能接触电晶体三个侧面的情况，GAA可比FinFET製程更精准控制电流。

 

• 新闻出处 : 经济日报 编译叶亭均、记者尹慧中