英特尔 (intel) 近日宣布，已经接收市场首套具有 0.55 数值孔径（High-NA）的 ASML 极紫外（EUV）曝光机，将协助其在未来几年大成更先进的晶片製程技术。与之形成对比的是，台积电当前则视似乎按兵不动，并不急于加入这场下一代曝光技术的竞赛。市场分析师预计，台积电可能要到 1.4 奈米 (A14)，或是更晚的 2030 年之后才会採用这项技术。
英特尔这次获得的 High-NA EUV 曝光机将首先用于学习和掌握这项技术，并预计在未来两到三年内用于 intel 18A 製程技术之后的制程节点。相较之下，台积电则採取更加谨慎的策略，市场分析师就认为，台积电可能要到预计的 A1.4 製程，或者是 2030 年之后才会採用 High-NA EUV 曝光机。
分析师表示，与英特尔计划将 High-NA EUV 与 GAA 电晶体同时导入 intel 20A 製程技术不同的是，预计台积电将在 A14 製程技术之后才导入 High-NA EUV，甚至时间将更晚到 2030 年以后。
事实上，英特尔积极的製程技术发展路线，包括从 intel 20A 开始导入 RibbonFET 全环栅电晶体架构和 PowerVia 背面供电技术。然后，在 intel 18A 进一步优化，并在 intel 18A 之后製程节点採用 High-NA EUV 曝光机，以达到更低功耗、更高性能，以及更小晶片尺寸的目标。
市场分析师认为，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因。因为台积电更倾向于採用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。因为 High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驱动更精细的曝光尺寸，这会加速投影光学器件和光罩的磨损，抵消了更高产能的优势。因此，这与台积电以最具成本竞争力的技术瞄准市场的策略一致。
而台积电早在 2019 年就开始在晶片量产中使用 EUV 曝光机，虽然比三星晚了几个月，办事比英特尔却早了几年的时间。当前，英特尔希望在 High-NA EUV 领域抢先三星和台积电，以获得一定的技术和战略优势，增加客户的青睐程度。所以，一旦台积电等更晚才採用 High-NA EUV 曝光机，能否持续保住其在製程技术方面的领先地位，则需要后续持续观察。
By Atkinson
英特尔这次获得的 High-NA EUV 曝光机将首先用于学习和掌握这项技术，并预计在未来两到三年内用于 intel 18A 製程技术之后的制程节点。相较之下，台积电则採取更加谨慎的策略，市场分析师就认为，台积电可能要到预计的 A1.4 製程，或者是 2030 年之后才会採用 High-NA EUV 曝光机。
分析师表示，与英特尔计划将 High-NA EUV 与 GAA 电晶体同时导入 intel 20A 製程技术不同的是，预计台积电将在 A14 製程技术之后才导入 High-NA EUV，甚至时间将更晚到 2030 年以后。
事实上，英特尔积极的製程技术发展路线，包括从 intel 20A 开始导入 RibbonFET 全环栅电晶体架构和 PowerVia 背面供电技术。然后，在 intel 18A 进一步优化，并在 intel 18A 之后製程节点採用 High-NA EUV 曝光机，以达到更低功耗、更高性能，以及更小晶片尺寸的目标。
市场分析师认为，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因。因为台积电更倾向于採用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。因为 High-NA EUV 需要更高的光源功率才能驱动更精细的曝光尺寸，这会加速投影光学器件和光罩的磨损，抵消了更高产能的优势。因此，这与台积电以最具成本竞争力的技术瞄准市场的策略一致。
而台积电早在 2019 年就开始在晶片量产中使用 EUV 曝光机，虽然比三星晚了几个月，办事比英特尔却早了几年的时间。当前，英特尔希望在 High-NA EUV 领域抢先三星和台积电，以获得一定的技术和战略优势，增加客户的青睐程度。所以，一旦台积电等更晚才採用 High-NA EUV 曝光机，能否持续保住其在製程技术方面的领先地位，则需要后续持续观察。
By Atkinson
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