半导体是我国重要产业，产值突破4兆，加上被动元件、电子零组件，总计每年超过5.5兆元产值，显示国际对台湾半导体产业需求和重视。第三代半导体材料「碳化矽」（SiC）晶体已被视为重要战略物资，是发展电动车、6G通讯、国防、航太、绿能的关键要素。

中山大学材料与光电科学学系教授兼国际长周明奇今指出，晶体研究中心成功长出六吋导电型N-type 4H碳化矽SiC单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，「晶体生长速度更快且具重复性」，国内尚无其他研究单位或大学能做得到，标示第三类半导体碳化矽向前推进的进程。

周明奇说，台湾半导体产业独步全球，居全球之冠，但在推进高功率元件、电动车及低轨卫星等先进应用的过程，却缺乏成熟的第三代半导体材料碳化矽的晶体生长技术，发展受限制，中山大学团队取得碳化矽晶体生长关键突破，将进一步透过技转，为台厂补足半导体产业链最尖端战略know-how，第一阶段将技转至长期产学合作的企业，善用研发成果助攻产业升级。

周明奇也说明，碳化矽制作困难，晶体生长的技术门槛高，需大量时间及经验，台湾目前的晶体稳定性与良率有待提升，中山大学团队成功生长的6吋导电型（n-type）4H碳化矽单晶，所有关键技术与设备设计、组装全部MIT，不倚赖国外厂商，上下游一条龙自主培养合作厂商生态链，从学术研发链结到产业制造，更能撙节研发生产成本。

中山大学校长郑英耀表示，晶体研究中心积极研发晶体生长设备及相关技术，持续携手医疗、半导体、光学、雷射等产业，获得国科会及教育部高教深耕计画的经费挹注，不断创新突破生长碳化矽晶体的核心技术，透过摄氏2300度以上的超高温生长出碳化矽晶体，是目前国内学研单位中唯一具备生长大尺寸吋SiC晶体的研究中心。

●新闻出处：自由时报_记者林晓云