由国际半导体产业协会（SEMI）主办的台湾国际半导体展（SEMICON Taiwan）28日登场，共涵盖逾2,150个展位，其中化合物半导体特展更为全台规模最大，摊位数量相较去年成长11％。

SEMI表示，透过完整展示氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）创新材料应用，化合物半导体特展提供全方位掌握实现5G、电动车、能源管理等关键技术最佳平台。

半导体展开幕首日举办「SEMI Talks领袖对谈」，邀请联颖光电、GaN Systems、联电、汉磊等业者，针对台湾在宽能隙化合物半导体的竞争优势提出看法。

SEMI表示，在新兴应用科技快速普及的驱动下，功率暨化合物半导体需求蓬勃发展，各国也将其视为国家战略重点。自2017年起，SEMI即密切关注到化合物半导体的市场需求，透过成立SEMI功率暨化合物半导体委员会，进一步强化整体产业链生态系统，促进合作并且引进优秀技术人才，全方位推动台湾产业布局。

SEMI全球行销长暨台湾区总裁曹世纶指出，全球功率暨化合物半导体晶圆厂设备支出在5G通讯、再生能源及电动车等应用的带动下，近几年呈现快速扩张，相关投资将在2021年增长约20％至70亿美元并创历史新高，2022年也预计将再增长至约85亿美元。

在此态势之下，SEMI也将持续串联产、官、学、研界，透过建立沟通平台推动跨区域资源媒合，期盼台湾继硅基础晶圆领先全球后，化合物半导体领域也能再次成为世界焦点。

联颖光电技术长暨SEMI Taiwan功率化合物半导体委员会副主席林嘉孚表示，过去几十年来，硅一直是首选的半导体材料。但随着新兴应用科技对于高效能、低能耗的需求越来越高，SiC和GaN等宽能隙半导体于近年快速崭露头角，在此主流发展趋势下，相关商机备受期待。

联电协理郑子铭表示，台湾在化合物半导体人才培育领域因产业界与学术界已建立了良好关係，故相当具有优势。在技术方面，联电近年积极投入化合物半导体氮化镓功率元件、射频元件製程，锁定高效电源功率元件及5G射频元件，全方位锁定最新市场商机。

汉磊副总张载良指出，宽能隙半导体材料是全球未来发展的重要科技之一，汉磊看好未来宽能隙半导体市场，积极投入SiC、GaN等材料製程技术开发，更具备4吋、6吋SiC及6吋GaN技术能量。展望未来，将继续推动台湾宽能隙製造市场发展，巩固如在硅半导体产业的优势。


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